在現(xiàn)代電子設備不斷追求更高效、更緊湊、更低成本電源解決方案的今天，LP3798ESM芯片以其卓越的性能和高度集成化的設計，成為了市場上的一顆璀璨新星。這款芯片不僅滿足了24W小體積電源方案的需求，還通過了全面的安全認證，為設計工程師提供了一個理想的選擇。本文將深入探討LP3798ESM芯片的特性和優(yōu)勢，以及它如何幫助實現(xiàn)全壓過認證的低成本解決方案。
典型應用電路（24W Demo）
BOM 亮點
內部框架圖解讀
750V SiC Power MOSFET
直接省掉外部高壓開關，Rdson 1.0Ω，溫升低，雷擊 4kV 仍有余量。
Peak-Current Mode Controller
內置 0.25-0.95V 斜坡補償，CCM/DCM 自動切換，占空比>50% 無次諧波振蕩。
三階段 PFM
重載：100kHz 定頻 + 峰值電流跟蹤
中載：65→24kHz 降頻，音頻能量分散
空載：125Hz 跳周期，待機 40mW
抖頻 EMI 引擎
128μs 大周期，±3% 頻率擺動，傳導峰值降低 5dB，無需共模電感即可過 Class B。
全功能保護庫
OVP/UVP/OCP/OTP/FB 開短路/CS 開短路/TONMAX，全部自恢復，提高產線良率。
關鍵設計公式與選型
輸出電壓設定
Vo = (VFB_REG + Icable·RFBH) · (NS/NA) + VD
VFB_REG=2.5V，Icable=36μA（內置線補），RFBH/RFBL 按匝比選取即可。
恒流點設定
IOCP = VREFCCP · NP /(NS·RCS)
VREFCCP=0.255V，NP:NS=210:14，RCS=0.25Ω → IOCP≈2.1A
變壓器規(guī)格
磁芯：EE1705，Ae=42mm2，PC95
漏感 <25μH，降低 Vds 尖峰
Bmax=0.29T@90V/2A，遠離飽和
輸入/輸出電容
Cin：2×22μF/400V + 1μF/50V 陶瓷；Cout：2×1000μF/16V LOW-ESR，紋波 92mV
性能速覽（基于 12V2A 測試報告）
| 項目 | 實測值 | 備注 |
|---|
| 峰值效率 | 90.7%@230V/2A | 板端，熱機 |
| 空載功耗 | 58mW@230V | 滿足 CoC V5 Tier-2 |
| 輸出紋波 | 92mV@264V/2A | <200mV 全范圍 |
| 動態(tài)負載 0-100% | ΔVo=±1V，恢復 300μs | 內置斜坡補償 |
| 保持時間 | 112ms@264V | >20ms 安規(guī)紅線 |
| 雷擊 | ±4kV L-PE/N-PE | PASS |
| 靜電 | 接觸±8kV/空氣±15kV | PASS |
| OTP | 150℃自恢復 | 45℃殼內滿載 4h 無降額 |
PCB 與布線要點
功率環(huán)路（母線電容→變壓器→內置D）面積 <30mm2，走線寬短。
CS 采樣電阻 Kelvin 到 GND，遠離高壓節(jié)點；RCS=0.25Ω/1W，緊貼 4 腳。
VCC 旁路 1μF+100nF 緊靠 2 腳，過孔到內層地。
FB 分壓電阻靠近 3 腳，節(jié)點面積 <2mm×2mm，防止注入噪聲。
散熱：ASOP-6 底部焊盤打 9 孔 0.3mm 到內層銅，溫升再降 8℃。
總結
LP3798ESM 用一顆 ASOP-6 芯片把 750V SiC、原邊 CV/CC 控制器、全套保護、抖頻 EMI 全部集成，提供 24W 級別「全壓輸入、過認證、低成本、小體積」四大價值：
BOM 從 38 顆砍到 33 顆，成本立降 20%
峰值效率 90.7%，空載 <60mW，輕松滿足全球能效
單層板+抖頻技術，傳導余量 >6dB，無需共模電感
雷擊 4kV、靜電 15kV、45℃ 殼內滿載不死機，可靠性一步到位
綜上所述，LP3798ESM芯片以其全壓過認證、低成本和小體積的特性，為24W電源方案提供了一個全面而高效的解決方案。隨著技術的不斷進步和市場對電源解決方案要求的日益增長，LP3798ESM無疑將成為未來電源設計中的一個關鍵角色，推動更多創(chuàng)新電子產品的誕生。深圳三佛科技提供完整資料技術支持，批量價格有優(yōu)勢~
