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HN0501,100V5A場效應管N溝道增強型MOS解析(SOT23-3L)
類別:產品新聞 發布時間:2026-01-15 11:38:30 瀏覽人數:15307

HN0501 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用常見的 SOT23-3L 封裝,卻擁有 100V 漏源耐壓與 5A 連續電流能力,Rdson 典型值僅 135mΩ(@10V)。憑借“高耐壓 + 低導阻 + 小體積”組合,它在中壓、中小功率場合(LED 驅動、電機 H 橋、DC-DC 同步整流等)成為硬件工程師口袋里的“萬能開關”。


關鍵參數一覽


項目數值單位條件
VDS100V漏源極限耐壓
ID5A連續漏極電流
IDM20A脈沖電流 (300μs)
RDS(on)135VGS=10V, ID=5A
VGS(th)1.8V典型門限
Qg15.5nCVGS=10V, ID=3A
PD2.5WTA=25°C
TJ-55~150°C工作結溫

Rdson 隨溫度曲線25°C 時 135mΩ,150°C 約 1.8 倍,仍遠低于同封裝 100V 器件常見 200mΩ 水平。


封裝與熱設計


SOT23-3L 本體 2.9×2.4×1.1mm,占板面積不足 7mm2。

結到環境熱阻 RθJA=50°C/W(FR4, 1in2 銅)。


設計小貼士
  • 頂層 1in2 銅箔 + 9 個 0.3mm 過孔到內層地,實測 RθJA 可降至 ≈41°C/W
  • 1A 持續電流時,導通損耗 I2R=0.135W,溫升僅 6.8°C,遠小于 2.5W 額定功耗



I-V 與開關特性


輸出特性

VGS≥6V 即進入可變電阻區,10V 完全飽和;5V 電平驅動也能獲得 <160mΩ 導阻,兼容 3.3V MCU 直接推挽。


開關速度
td(on)=11ns,td(off)=35ns,tr/tf 典型 7.4/9.1ns,Qg=15.5nC
→ 100kHz 硬開關損耗可控,適合高頻率 LED 驅動與同步整流。



典型應用電路


  1. 24V→12V 同步 Buck(2A)
    • 上管:HN0501 ×1
    • 下管:HN0501 ×1(同步 MOSFET)
    • 頻率:300kHz
    • 實測效率 94.2%@2A,板溫 <45°C
  2. LED 升壓恒流 36V 300mA
    • 開關管:HN0501
    • 控制器:任何 SOT23-6 Boost IC
    • 電感:22μH,飽和電流 >1A
    • 無散熱器,連續工作 8h 殼溫 60°C
  3. H 橋直流電機驅動 24V 1A
    • 4×HN0501 組成全橋
    • 柵極串 10Ω 抑制尖峰,體二極管續流
    • 正反轉 + 剎車,PCB 面積 20mm×25mm 完成



驅動與保護設計


  • 柵極驅動
    Qg=15.5nC,峰值電流 1A 即可在 15ns 內完成充放電;>6V 驅動保證 Rdson 進入飽和區。
  • 防靜電
    HBM>2kV,但在高速接口仍建議 5V 齊納做 G-S 鉗位,避免感應擊穿。
  • 雪崩能量
    單脈沖雪崩 100mJ,可承受一定感性負載;若頻繁雪崩,建議在漏極并 RC 吸收。


與同規格競品對比


型號VDS/VID/ARDSon/mΩQg/nC封裝
HN0501100/513515.5SOT23-3L
AO3400A30/5.84510.5SOT23-3L低壓段
IRFML824460/5.218018SOT23-3L中壓段
HN0501100/513515.5SOT23-3L高壓段

在 100V 級別里,HN0501 的導通電阻與柵電荷均處于領先,價格與交期優于國際大廠,適合大批量消費類與工業級應用。


總結


HN0501 把 100V 耐壓、135mΩ 低導阻和 15.5nC 低柵電荷濃縮進拇指蓋大小的 SOT23-3L:


  • 高壓側開關、同步整流、H 橋臂,皆可勝任
  • 100kHz-300kHz 硬開關損耗低,EMI 友好
  • 2.5W 功耗極限,配合銅箔散熱,可連續 5A 工作
  • 與 3.3V/5V MCU 直接接口,省掉驅動 IC,進一步降本


當空間、成本、可靠性必須同時兼顧時,HN0501 就是硬件工程師口袋里的“百伏級萬能開關”。深圳三佛科技提供技術支持,批量價格有優勢~

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