PL3327是聚元微推出的「原邊控制 + 內置650V MOSFET」反激式功率開關系列，涵蓋DIP7、SOP7、SOP8四種封裝，單顆芯片即可輸出5V-24V/18W以內電源。它把傳統(tǒng)方案中的光耦、TL431、高壓MOSFET、啟動電阻全部省掉，BOM從25顆壓縮到12顆，峰值效率>87%，空載功耗<75mW，單層PCB過EMI Class B，是手機充電器、小家電輔助電源、LED驅動等場合的“極簡三件套”——芯片+變壓器+幾顆阻容即可量產。

型號一覽

管腳分布與功能

關鍵腳位說明

• FB：外接分壓電阻到輔助繞組，0.95-1.05V基準，內置12μA線補償電流
• VCC：7V啟動，27V鉗位，自供電架構，無需啟動電阻
• DRAIN：650V/2.5Ω，最大峰值電流≈2A，可直接驅動EE16變壓器

內部框架圖解讀

下圖展示了一顆“模擬電源SoC”：

1. 高壓MOSFET+啟動電路
   650V/2.5Ω，Rdson典型2.5Ω；1μA啟動電流，省去啟動電阻與VCC二極管。
2. 原邊CV/CC雙環(huán)路
   • 恒壓：FB采樣輔助繞組退磁電壓，與2.5V基準比較
   • 恒流：CS峰值電流+退磁比例49%，實現(xiàn)±5%恒流精度
3. 自適應PWM/PFM
   重載120kHz PWM；中載降頻；空載550Hz跳周期，待機<75mW，無音頻噪音。
4. 全套保護
   OCP/UVLO/OVP/OTP，全部自恢復；300ns前沿消隱，EMI裕量>6dB。

典型應用圖——18W 12V1.5A Demo

• 變壓器：EE16，Lp=1.8mH，Np:Ns=120:18
• 輸出電容：470μF×2，紋波<120mV
• 單層PCB 42×35mm，BOM 12顆，峰值效率87%

關鍵設計公式

1. 輸出電壓設定
   Vo = (Vref_EA/RFBL × RFBH + Vref_EA) × Ns/Nf - VD
   Vref_EA=2.5V，內置12μA線補電流，RFBH越大補償越強。
2. 恒流點設定
   Io = 0.5 × Lm × Fsw × IPK2 × η / Vo
   IPK已內置，只需調變壓器匝比即可改變電流。
3. 變壓器規(guī)格
   • EE13/EE16，Lp=1.2-2.2mH
   • 漏感<5μH，降低尖峰
   • Bmax<0.28T@90V滿載
4. PCB布局
   • VCC旁路1μF+100nF緊靠4腳
   • FB分壓節(jié)點遠離原邊動點，走線<5mm
   • 功率環(huán)面積<30mm2，副邊二極管-輸出電容最短回地

封裝與散熱選擇

與上一代 RCC/線性電源對比

總結

PL3327系列用一顆 DIP7/SOP7/SOP8 就把 650V MOSFET、原邊 CV/CC、自適應 PWM/PFM、全套保護全部集成，提供 18W 級別「極簡、高效、低成本」三合一體驗：

• BOM 從 30 顆砍到 12 顆，成本立降 35%
• 87% 峰值效率，65mW 待機，輕松滿足全球能效
• 零調試、單層板過 EMI，產線良率>99%
• 四封裝兼容，一周完成插件?貼片切換

當充電器、小家電、LED 驅動同時追求「器件最少、體積最小、認證最快」時，PL3327就是硬件工程師口袋里的「18W 萬能電源芯片」——一顆芯片，一套變壓器，幾顆阻容，即可點亮全球！深圳三佛科技提供技術支持，批量價格有優(yōu)勢~