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SLD90N03T是一款由美浦森生產(chǎn)的高性能N通道功率MOSFET，廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)和脈沖寬度調(diào)制（PWM）等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹該器件的關(guān)鍵參數(shù)和引腳布局，幫助工程師更好地理解和應(yīng)用這一高性能半導(dǎo)體器件。
SLD90N03T采用先進(jìn)的TRENCH工藝制造，旨在最小化導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。其主要特點(diǎn)包括極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）、快速開關(guān)能力以及100%雪崩測(cè)試，確保器件在各種復(fù)雜工況下的可靠性。
在VGS = 10V時(shí)，RDS(on)典型值為3.8mΩ，最大值為4.5mΩ。
在VGS = 4.5V時(shí)，RDS(on)典型值為5.5mΩ，最大值為7.0mΩ。
低導(dǎo)通電阻意味著在高電流應(yīng)用中，器件的功耗更低，效率更高。
SLD90N03T的漏源擊穿電壓為30V，確保在額定電壓下穩(wěn)定工作，同時(shí)為過壓情況提供一定的安全裕度。
連續(xù)漏極電流在25℃時(shí)為90A，而在100℃時(shí)為58A。
脈沖漏極電流可達(dá)360A，適用于高功率脈沖應(yīng)用。
柵極-源極電壓范圍為±20V，確保在不同驅(qū)動(dòng)電壓下穩(wěn)定工作。
輸入電容（Ciss）為1950pF，輸出電容（Coss）為320pF，反向傳輸電容（Crss）為240pF。
開關(guān)特性包括13ns的開通延遲時(shí)間（td(on)）和36ns的開通上升時(shí)間（t(on)），以及43ns的關(guān)斷延遲時(shí)間和16ns的關(guān)斷下降時(shí)間。
總柵極電荷（Qg）為42nC，柵源電荷（Qgs）為4nC，柵漏電荷（Qgd）為14nC。
單脈沖雪崩能量為90mJ，確保器件在過載情況下能夠安全地承受反向恢復(fù)能量。
熱阻（RθJC）
結(jié)點(diǎn)至外殼的熱阻為1.67℃/W，表明該器件具有良好的散熱性能，能夠在高功率應(yīng)用中保持較低的結(jié)溫。
工作溫度范圍
工作和存儲(chǔ)溫度范圍為-55℃至+150℃，適用于各種惡劣環(huán)境。
SLD90N03T采用D-Pak封裝，具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。其引腳布局如下：
引腳 功能
G 柵極（Gate）
S 源極（Source）
D 漏極（Drain）
D-Pak封裝的引腳分布清晰，便于PCB布局和焊接。其封裝尺寸符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
SLD90N03T的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其在以下應(yīng)用中表現(xiàn)出色：
電源管理
作為開關(guān)元件，用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和電源適配器中，提高電源轉(zhuǎn)換效率。
負(fù)載開關(guān)
在負(fù)載切換過程中，快速開關(guān)能力可減少開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
脈沖寬度調(diào)制（PWM）
適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器和PWM控制器等應(yīng)用，提供高效率和高可靠性。
SLD90N03T是一款高性能的N通道功率MOSFET，其低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)能力和卓越的熱性能使其成為電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。通過了解其關(guān)鍵參數(shù)和引腳布局，工程師可以更好地將其應(yīng)用于各種復(fù)雜電路設(shè)計(jì)中，實(shí)現(xiàn)高效、可靠的功率控制。